碳化硅（SiC）單晶爐的長(zhǎng)晶方式（晶體制備方法）主要包括物理氣相傳輸（Physical Vapor Transport, PVT）、高溫化學(xué)氣相積淀（HTCVD）及液相外延（LPE）。

1. 物理氣相傳輸（PVT）

PVT工藝概述：

- 加熱模式： 電感加熱和電阻加熱。

- 溫度控制： 2400℃左右。

- 溫度測(cè)量方法： 高溫計(jì)通過石英窗口、保溫層通孔測(cè)試坩堝底部或頂部的溫度。

- 溫度測(cè)量點(diǎn)： 上測(cè)溫、下測(cè)溫、或上下測(cè)溫。

PVT溫度監(jiān)測(cè)細(xì)節(jié)：

- 上測(cè)溫： 在坩堝頂部安裝高溫計(jì)，監(jiān)測(cè)頂部溫度，適用于檢測(cè)晶體生長(zhǎng)區(qū)域的溫度。

- 下測(cè)溫： 在坩堝底部安裝高溫計(jì)，監(jiān)測(cè)底部溫度，主要用于控制坩堝內(nèi)材料的均勻加熱。

- 上下測(cè)溫： 同時(shí)在坩堝頂部和底部安裝高溫計(jì)，實(shí)現(xiàn)對(duì)坩堝內(nèi)溫度的監(jiān)測(cè)和精確控制。

2. 高溫化學(xué)氣相積淀（HTCVD）

HTCVD工藝概述：

- 技術(shù)挑戰(zhàn)： 沉積溫度控制。

- 溫度測(cè)量方法： 需要在高溫條件下精確測(cè)量氣相中的溫度，以確保晶體生長(zhǎng)的純度和速率。

- 溫度監(jiān)測(cè)設(shè)備： 高溫計(jì)與熱電偶組合，可能需要多點(diǎn)溫度測(cè)量。

HTCVD溫度監(jiān)測(cè)細(xì)節(jié)：

- 多點(diǎn)溫度測(cè)量： 使用多個(gè)高溫計(jì)和熱電偶，監(jiān)測(cè)氣相積淀反應(yīng)區(qū)不同位置的溫度，確保溫度場(chǎng)的均勻性。

- 溫度控制系統(tǒng)： 結(jié)合反饋控制系統(tǒng)，根據(jù)實(shí)時(shí)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整加熱功率，確保溫度的穩(wěn)定性和精確性。

3. 液相外延（LPE）

LPE工藝概述：

- 技術(shù)挑戰(zhàn)： 生長(zhǎng)速率和結(jié)晶質(zhì)量的平衡。

- 溫度測(cè)量方法： 需要精確監(jiān)測(cè)液相中的溫度，以控制晶體生長(zhǎng)的速率和質(zhì)量。

- 溫度監(jiān)測(cè)設(shè)備： 高溫計(jì)和熱電偶。

LPE溫度監(jiān)測(cè)細(xì)節(jié)：

- 液相溫度測(cè)量： 在液相外延反應(yīng)區(qū)設(shè)置高溫計(jì)，監(jiān)測(cè)液相中的溫度變化。

- 溫度均勻性監(jiān)測(cè)： 在液相中設(shè)置多個(gè)測(cè)溫點(diǎn)，確保整個(gè)液相區(qū)域溫度的一致性。

- 反饋控制： 使用實(shí)時(shí)溫度數(shù)據(jù)，結(jié)合控制系統(tǒng)調(diào)整加熱功率和冷卻速率，實(shí)現(xiàn)精確溫度控制。

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紅外高溫計(jì)推薦型號(hào)

由于設(shè)備結(jié)構(gòu)限制，推薦使用帶有視頻瞄準(zhǔn)的高溫計(jì)。以下是推薦型號(hào)：

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- INFRARETON T1-726R：700~2600℃，雙色，高溫，國(guó)產(chǎn)化。

碳化硅長(zhǎng)晶工藝中的溫度監(jiān)測(cè)方案至關(guān)重要，不同工藝方法需要采用不同的溫度測(cè)量和控制策略。PVT法通過上下測(cè)溫高溫計(jì)實(shí)現(xiàn)坩堝溫度的精確控制；HTCVD法通過多點(diǎn)溫度測(cè)量和反饋控制系統(tǒng)確保沉積溫度的穩(wěn)定；LPE法則通過多點(diǎn)測(cè)溫和均勻性監(jiān)測(cè)實(shí)現(xiàn)液相外延的高質(zhì)量生長(zhǎng)。結(jié)合高溫計(jì)和熱電偶等測(cè)溫設(shè)備，配合精密的控制系統(tǒng)，可以有效提高SiC晶體的質(zhì)量和長(zhǎng)晶效率。